高性能固态紫外光电探测器

来源:信息发布     作者:信息发布人员     发布时间:2016年04月27日     浏览次数:         

  

  

材料

编号

封装形式

芯片面积/mm2

GaN

GT-ABC-L

TO-46

1.00

GS-AB-2835

SMD2835

0.11

  应用领域:

  紫外辐射监测

  太阳光紫外指数监测

  火焰监测

  GT-ABC-L

  特点:

  响应波段:UVA+UVB+UVC

  光伏工作模式

  TO46金属封装

  可见光无响应

  高响应度,低暗电流

  用途: 紫外线指数检测,紫外辐射剂量测量,火焰监测

  相关参数:

参数

符号

额定值

单位

最大额定值

工作温度范围

Topt

-25-85

oC

存储温度范围

Tsto

-40-85

oC

焊接温度 (3 s)

Tsol

260

oC

最大反向电压

Vr-max

-10

V

基本特性 (25 oC)

芯片尺寸

A

1

mm2

暗电流 (Vr = -5 V)

Id

<1

nA

温度系数

Tc

-0.1

%/ oC

电容 (偏压0 V,频率1MHz)

Cp

23

pF

光谱响应特性 (25 oC)

峰值响应波长

λ p

355

nm

峰值响应度 (355 nm)

Rmax

0.20

A/W

光谱响应范围 (R=0.1×Rmax)

-

210-370

nm

紫外/可见光抑制比 (Rmax/R400 nm)

-

>104

-

  GS-AB-2835

  特点:

  响应波段:UVA+UVB

  光伏工作模式

  SMD 2835封装

  可见光无响应

  高响应度,低暗电流

  用途: 紫外线指数检测,紫外辐射剂量测量,火焰监测

  相关参数:

参数

符合

额定值

单位

最大额定值

工作温度范围

Topt

-25-85

oC

存储温度范围

Tsto

-40-85

oC

焊接温度 (3 s)

Tsol

260

oC

最大反向电压

Vr-max

-10

V

基本特性 (25 oC)

芯片尺寸

A

0.11

mm2

暗电流 (Vr = -1 V)

Id

<1

nA

温度系数

Tc

-0.1

%/ oC

电容 (偏压0 V,频率1MHz)

Cp

6

pF

光谱响应特性 (25 oC)

峰值响应波长

λ p

355

nm

峰值响应度 (355 nm)

Rmax

0.20

A/W

光谱响应范围 (R=0.1×Rmax)

-

280-370

nm

紫外/可见光抑制比 (Rmax/R400 nm)

-

>104

-